ASBIS novice

Januar 14, 2024
Vroča ponudba: Izkoristite posebno akcijo podjetja AENO za vrhunske modele ...
Oktober 29, 2023
ASBIS širi pokritost Pure Storage na 9 novih držav v srednji in vzhodni Evropi. ...
Avgust 29, 2023
AENO, priznana in napredna znamka na področju gospodinjskih aparatov, je ...
November 17, 2022
Obsežen portfelj strežnikov in sistemov za shranjevanje, ki jih poganjajo ...
November 04, 2022
Prvi igralni grafični procesorji na svetu s tehnologijo Chiplet. Grafika serije ...
September 26, 2022
AENO, mlada dinamična blagovna znamka pametnih gospodinjskih aparatov, širi ...
September 15, 2022
Nov strežnik 8U z grafičnimi procesorji NVIDIA H100/A100 povečuje zmogljivost ...
Julij 12, 2022
Distributer z dodano vrednostjo je znatno povečal bazo strank za svojega ...
Julij 04, 2022
Loewe je vrhunska blagovna znamka za televizorje, prepoznavna po svojih ...
Junij 29, 2022
ASBIS bo svojim strankam v regiji EMEA ponudil omrežne rešitve Edgecore
Intel naredil pomemben korak do vodstvenega položaja na trgu SSD diskov

Junij 29, 2017

Intel, SSD, 3D NAND

Intel naredil pomemben korak do vodstvenega položaja na trgu SSD diskov

Predstavitev najnovejše 64-Layer, TLC, Intel 3D NAND tehnologije

BUY ONLINE

Intel® 3D NAND SSDs

Rob Crooke

Intel je predstavil prvi komercialni 64-layer, TLC, 3D NAND solid state disk (SSD). Medtem, ko drugi govorijo o tem, smo mi to naredili. 

Danes predstavljamo novi Intel® SSD 545s disk. Izredno kakovosten in zanesljiv disk, za mainstream tržišče, ki zagotavlja odlično delovanje starejšim osebnim računalnikom ali dodano vrednost novim. Najnovejši izdelek je na voljo pri Newegg* v začetku tega tedna.

Misija Intla je zagotoviti rešitve, ki bodo uporabniku nudile boljšo uporabniško izkušnjo, kjerkoli se srečata računalništvo in podatki. Nadaljevali bomo z vlaganji v Intel® 3D NAND tehnologijo in Intel® Optane™ tehnologijo, da bomo to tudi zagotovili. 

Intel je že velikokrat poudaril, kako današnja eksplozija podatkov predstavlja industriji priložnost, da pridobi več vrednosti iz teh podatkov. Izziv preteklosti je bil dostopnost in učinkovitost skladiščenja. Tukaj nastopi  TLC, 3D NAND v igro. Osnovano na 30 letnih izkušnjah smo optimizirali 3D NAND floating gate arhitekturo in proces izdelovanja. 

Rob Crooke

Rob Crooke

Višji podpredsednik in generalni direktor skupine za nehlapne pomnilniške rešitve v družbi Intel Corporation

Prvo povejmo nekaj na temo arhitekture. Intel® 3D NAND tehnologija je t.i. "floating gate" arhitektura, ki zagotavlja najboljšo možno površinsko gostoto in zagotavlja razširljivost za prihodnost. To temelji na manjših velikostih celic in dajanju kontrolne logike pomnilniku. Največja površinska gostota pomeni, da lahko povečamo velikost in dostavimo več gigabytov na rezino. Naše izkušnje z oblikovanjem te arhitekture v SSD rešitvah nam omogočajo izredno hitro izboljšanje učinkovitosti, porabe energije, doslednosti delovanja in zanesljivosti z vsako generacijo. Dodatno je "floating gate" tehnologija izdelana na dokazanem procesu velikega obsega, ki nam omogoča pospešitev prehajanja od 2D na 3D, MLC do TLC in sedaj iz 32-layer na 64-layer izdelke. 

Ta naslednja generacija procesnega vodstva bo omogočila nemoten in enostaven migracijski cikel ter potrjevanje za naše obstoječe stranke podatkovnega centra iz današnjih 32-layer izdelkov na 64-layer razširitvene izdelke. Omogoča tudi razširjen portfelj izdelkov, ki podpira nove poslovne stranke in vdelane izdelke. V naših tovarnah imamo zelo močno generacijsko sinergijo in pričakujemo, da bo do sredine leta 2018 dosegla hitro raven bita, ki temelji na 64-layer, TLC, 3D NAND. 

Uresničevanje obljube o prihodnosti je prinašanje podatkov in zbliževanje za boljšo izkušnjo.

Disclaimer:The information contained in each press release posted on this site was factually accurate on the date it was issued. While these press releases and other materials remain on the Company's website, the Company assumes no duty to update the information to reflect subsequent developments. Consequently, readers of the press releases and other materials should not rely upon the information as current or accurate after their issuance dates.